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PL光致發(fā)光光譜儀應(yīng)用

更新時(shí)間：2017-06-28點(diǎn)擊次數(shù)：4666

InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測(cè)試

● 樣品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍(lán)寶石襯底MOCVD 生長(zhǎng)的 InGaNGaN 量子阱

● 測(cè)試條件：325nm激發(fā)，功率30mW

● 光譜范圍：340-700nm

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